1. 原子层沉积流程图

步骤如下：

（1）对于渗透型印章使用原子印油的方法：把印章倒置揭开章盖，对印章表面均匀的加入4－5滴印油，待渗入后即可使用。

（2）普通印台使用原子印油的方法：把适量印油均匀的涂在印台台芯上，待完全渗入后即可使用。

（3）使用前必须摇晃均匀，如有结块、沉淀现象，应停止使用。不可和水性印台混用。原子章即可完成更换了：

2. 原子层沉积流程图怎么画

钾(K)原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p64s1或简化为[Ar]4p1，其中4s1是钾原子的价电子排布式。

钾属于碱金属，位于元素周期表第四周期第ⅠA族19号元素。核内有19个质子，核外有4个电子层，电子排布为2、8、8、1。

钾能与水，酸，可溶性盐溶液，非金属和非金属氧化物等反应。例如钾能与氯化铁溶液反应生成红褐色氢氧化铁沉淀和氢气，反应的化学方程式为:

6K+6H2O+2FeCl3=2Fe(OH)3↓(红褐色)+6KCl+3H2↑;

3. 原子层沉积可以沉积什么

溅射沉积是用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子溅射出来，沉积在基底表面形成薄膜的方法。

4. 原子层沉积sio

原硅酸在干燥的空气里失水变为硅酸,化学方程式：H4SiO4=H2SiO3+H2O硅酸难溶于水，是一种比碳酸还弱的酸，用化学方程式可表示为：Na2SiO3+CO2+H2O=H2SiO3↓+Na2CO3（强制弱）

主要区别是，性质不同、化学性质不同、作用不同，具体如下：一、性质不同1、H4SiO4氢氧化硅（Si(OH)4），一般叫做原硅酸或正硅酸（H4SiO4），化学物质，二氧化硅（SiO2）的水合物。

2、H2SiO3H2SiO3，指偏硅酸也称硅酸。

二、化学性质不同

1、H4SiO4正硅酸Si(OH)4，或写成H4SiO4，电离平衡常数K1=2.2*10-10(30℃)。是一种弱酸，它的盐在水溶液中有水解作用。硅酸是不溶于水的二元弱酸，可用Na2SiO3溶液和盐酸反应生成硅酸。当盐酸和Na2SiO3溶液起反应时生成白色胶状沉淀，这种白色胶状物沉淀叫做原硅酸，通常用H4SiO4来表示它的组成，但原硅酸不稳定，在空气里干燥，失去一部分水后，变成白色粉末，这种物质就是偏硅酸。

2、H2SiO3硅酸原称偏硅酸，是一种二元弱酸，电离平衡常数K1=2×10-10(室温)。不溶于盐酸、硫酸，溶于氢氟酸。溶于氢氧化钾或氢氧化钠溶液，生成硅酸钾K2SiO3或硅酸钠Na2SiO3和水。熔点为150℃(分解)。加热到150℃以上时分解为二氧化硅和水，二氧化硅是硅酸酐。用做气体和蒸气的吸收剂、催化剂或做其它催化剂的载体。由于二氧化硅不跟水化合，所以硅酸主要通过硅酸盐溶液跟强酸反应制得

5. 原子层沉积流程图解

      印泥长时间放置或久未翻搅，就会出现发干发硬。

　　原子印章的印迹以笔迹清晰、色均油实、色泽艳丽着称，如呈现笔迹模糊、字面时断时续等现象会令原子印章的印刷作用大打折扣，乃至低于累赘繁琐的印泥印章。要防止此种情况发生其实不难，在日常中令印油坚持朴实的液体状态即可。另外，如原子印章的印油呈现大小不一的结块或各种各样的沉积情况，可以将印油弃之不必。

6. 原子层沉积设备示意图

半导体tf工艺就是半导体薄膜制备工艺。

薄膜生长是指采用物理或化学方法使物质（原材料）附着于衬底材料表面的过程，根据工作原理不同，薄膜生长的方法有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延三大类

在微米时代CVD均采用多片式的常压化学气相沉积设备（APCVD），结构比较简单，腔室工作压力约为1atm。但随着晶圆尺寸不断增大、技术节点不断进步，CVD设备也不断改进，其技术先后经历了微米时代的常压化学气相沉积（APCVD）、亚微米时代的低压化学气相沉积（LPCVD）、90纳米时代的等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）。

从65nm时代开始，在半导体制造过程中由于源区和漏区采用选择性SiGe外延工艺，提高了PMOS空穴迁移率；在45nm时代为了减小器件漏电流，新的高介电材料引入及金属栅工艺的应用，由于膜层厚度非常薄，通常在纳米量级内，因此不得不引入原子层沉积（ALD）工艺，以满足对薄膜沉积的控制和薄膜均匀性的需求。