1. 晶闸管的导通和关断条件?

晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

2. 晶闸管的导通和关断条件及方法

闸体导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶体管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。

减小正向阳极电压至一个数值一下，或加反向阳极电压就可以使晶体管由导通变为关断。

晶体管T在工作过程中，阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶体管的门极G和阴极K与控制晶体管的装置连接，组成晶体管的控制电路。

3. 晶闸管的导通和关断条件的关系

闸管导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流il以上。导通后的晶闸管管压降很小。

使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流ih向下。

其方法有二：

1、减小正向阳极电压至一个数值以下，或加反向阳极电压。

2、增加负载回路中的电阻。

4. 晶闸管的导通的2个条件

晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。 晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。 晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条件如下： 1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。 3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。 4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。

5. 晶闸管的导通与关断

晶闸管截止的条件：

1. 晶闸管的A、K两极间加反向电压，或开始工作时就不加触发信号（即令UGK = 0 ），晶闸管则不能导通。

2. 晶闸管正向导通后，欲令其截止，必须减小UAK，或加大回路电阻，致使晶闸管中的电流减小到维持电流（IH）以下，正反馈失效，晶闸管截止。

6. 简述晶闸管由导通变为关断的三种关断情况

单向可控硅导通后不能用控制极关断可控硅。过零关断是指可控硅在导通后，控制极取消控制电压，在交流电过零点时，可控硅的导通电流因小于最小续流电流而关断。

7. 晶闸管的导通和关断条件

等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件:一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。

晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。

智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。扩展资料：

闸管导通的条件是:阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在]极加正向触发电压， 多级离心才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流， 查找损坏即擎住电流儿L以上。

导通后的晶闸管管压降很小，使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小 锂电池自至一个小的数值，即维持电流IH-下。

8. 简述晶闸管的导通与关断条件

1，当晶闸管的阳极A和阴极C之间加正向电压且控制极和阴极之间也加正向电压时，晶闸管处于导通状态；但起码电压大于管压降，阳极和阴极之间电压一般为0.6到1.2V；

2，导通是它的电流由串联在管上的负载电阻决定，I=U/R；

3，阻断时承受的电压大小由晶闸管本身参数决定，即如普通的三级管一样，Vce间的电压有的几十V,有点几千V,如行管上千V。